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DMP2018LFK
0.03
0.02
0.03
0.02
V GS = -4.5      V
T A = 150°C
T A = 125°C
V GS = -2.5V
T A = 85°C
0.01
V GS = -10V
V GS = -4.5V
0.01
T A = 25°C
T A = -55°C
0
0
5 10 15 20 25
30
0
0
5
10 15 20 25
30
1.7
1.5
-I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
V GS = -5V
0.020
0.018
0.016
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.3
I D = -5A
0.014
V GS = -10V
0.012
V GS = -5V
I D = -5A
1.1
I D = -10A
0.010
0.9
0.7
0.008
0.006
0.004
0.002
V GS = -10V
I D = -10A
0.5
-50
-25
0 25 50 75 100 125 150
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
1.4
1.2
1.0
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
30
25
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
0.8
20
15
T A = 25°C
0.6
I D = -250μA
10
0.4
0.2
I D = -1m      A
5
0
-50 -25
0 25 50 75 100 125 150
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
DMP2018LFK
Document number: DS35357 Rev. 5 - 2
4 of 7
www.diodes.com
March 2012
? Diodes Incorporated
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